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美國允許三星、SK海力士和臺(tái)積電在中國大陸擴(kuò)建

返回列表 來源：霍爾元件 瀏覽： 發(fā)布日期：2023-06-15 09:07:17【大 中 小】
目前，領(lǐng)先的芯片制造商將能夠升級(jí)他們?cè)谥袊箨懙木A廠。
 
據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》 援引美國商務(wù)部官員的報(bào)道稱，美國政府將允許頂級(jí)芯片制造商三星、SK 海力士和臺(tái)積電保留和擴(kuò)建其在中國大陸現(xiàn)有的內(nèi)存和邏輯工廠。 如果信息正確，那么這三家公司將能夠從美國制造商那里為他們?cè)谥袊箨懙木A廠購買新的晶圓廠工具，但有一個(gè)問題。
 
美國商務(wù)部負(fù)責(zé)工業(yè)和安全的副部長艾倫·埃斯特維茲 (Alan Estevez) 透露，政府計(jì)劃繼續(xù)對(duì)韓國和中國臺(tái)灣芯片制造商實(shí)施現(xiàn)行豁免，這些豁免與旨在限制中國大陸半導(dǎo)體行業(yè)能力的最新美國出口管制規(guī)則 有關(guān)。這些最初于去年 10 月授予的豁免將于今年 10 月到期。 
 
出席討論的人士表示，Estevez 在與半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的討論中做出了確認(rèn)，稱豁免預(yù)計(jì)將在“可預(yù)見的未來”持續(xù)存在。然而，商務(wù)部選擇拒絕就此事發(fā)表任何額外評(píng)論。
 
 
美國的晶圓廠設(shè)備 (WFE) 制造商必須先獲得商務(wù)部的出口許可證，才能出口能夠生產(chǎn)在 10nm/14nm/16nm 或更小節(jié)點(diǎn)上使用非平面晶體管的邏輯芯片、具有 128的3D NAND芯片的工具或更多層，以及半間距為18nm或更小的DRAM IC，供中國客戶使用。
 
三星、SK 海力士和臺(tái)積電等芯片制造商必須經(jīng)常升級(jí)他們的晶圓廠，以保持其產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。這三家公司都獲得了美國政府的豁免，允許他們?cè)?2022 年 10 月至 2023 年 10 月期間向中國大陸出口必要的生產(chǎn)設(shè)備，并有可能將豁免再延長一年。顯然，美國政府現(xiàn)在愿意允許三星、SK 海力士和臺(tái)積電在 2024 年 10 月之后為其在中國大陸的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施獲得美國晶圓廠工具。 
 
但是，讓我們開始吧。根據(jù)美國 CHIPS 和科學(xué)法案獲得國家資助的條件將 禁止 受益公司投資其位于中國大陸的晶圓廠。這項(xiàng)政策可能會(huì)對(duì)三星、SK 海力士和臺(tái)積電等公司產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，這些公司在中國大陸經(jīng)營著重要的設(shè)施，并且是美國資助的潛在申請(qǐng)者。根據(jù)目前的條款，如果這些公司中的任何一家獲得 CHIPS 資金，他們將無法在 10 年內(nèi)投資擴(kuò)建或升級(jí)其在中國大陸的晶圓廠。
 
目前，SK海力士是中國大陸少數(shù)幾個(gè)DRAM生產(chǎn)商之一。目前還不清楚它在那里使用了哪些生產(chǎn)技術(shù)。據(jù) TrendForce 稱，三星和SK海力士都在中國大陸使用其 128 層工藝制造 3D NAND。與此同時(shí)，臺(tái)積電位于中國南京的Fab 16 在該公司的16納米FinFET節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)芯片。 
 
目前，16nm FinFET 和 128 層 3D NAND 制造工藝具有競(jìng)爭(zhēng)力。但在某個(gè)時(shí)候，它們將變得過時(shí)，如果那里的芯片制造商不能根據(jù)與美國政府的協(xié)議投資升級(jí)他們的中國大陸晶圓廠，他們將不得不做出戰(zhàn)略決策，如果贈(zèng)款條款符合籌碼法案沒有改變。